MEMS・半導體製造設備事業
邁向未來的微技術
住友精密作為MEMS制造不可缺少的硅深度挖掘裝置和硅氧化膜犧牲層蝕刻裝置的領先企業，與合作夥伴企業一起提供可提供各種解決方案的工藝裝置群，為MEMS技術的發展做出了贡獻。
- 什麽是“MEMS (微機電係統) ”
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MEMS感測器 (Robert Bosch GmbH提供)通過以微單位對諸如SOI和硅的晶片進行三維加工，不僅電路而且機械移動結構的器件不僅安裝在基板上，並且安裝在熟悉的電子設備等中。
正在研究和開發各種領域，例如汽車感測器，如安全氣囊，噴墨印表機的噴嘴頭，高頻設備和智能手機等移動設備的相機模塊。
MEMS和半導體設備部門的優勢
- 占市場份額90%的MEMS用硅深挖裝置
- 可進行世界最高水平的刻蝕率、高掩膜選擇比、高寬高比加工
- 豐富的半導體及MEMS制造設備產品線支持從試制到量產
硅深鉆機
MEMS用硅深度挖掘裝置的事實標準。從研究試作型的SRE機到量產型標準的Pegasus機，再到加工精度和生產性更高的Predeus機，各種用途的設備應有盡有。
搭載了將世界最高的高刻蝕率、高掩膜選擇比、高寬高比加工等卓越性能發揮到極衹的硬體模塊和工藝軟體，可用於陀螺儀感測器、加速度感測器加工等各種用途。
- 硅深度挖掘裝置
CPXASE-Proxion
- 硅深度挖掘裝置
- 陀螺儀感測器結構 [圖片提供:SSP]
- 高寬比蝕刻
犧牲層蝕刻裝置(硅、硅氧化膜)
作為制造具有微小可動部分的MEMS的特有工序，需要去除犧牲層。一種硅氧化膜各向同性幹法蝕刻裝置，可在不產生濕法蝕刻產生的結構體附著的情況下進行加工。
備有從簡易手動型到集群型的搬運係統，可對應從研究試制到量產的各種需求。可以用於硅麥克風和光器件等各種用途。
- 硅氧化膜犧牲層蝕刻裝置
MLTSLE-Ox
- 硅氧化膜犧牲層蝕刻裝置
- 硅麥克風結構
[圖片提供:Sensfab]
- 硅麥克風結構
- SOI晶片BOX層蝕刻
[圖片提供:松下]
- SOI晶片BOX層蝕刻
其他制造裝置
我們還從事化合物·氧化膜蝕刻設備，能夠高速蝕刻化合物半導體，光學器件等難蝕刻材料，以及等離子體成膜設備，最適合形成低應力硅氮化膜和厚膜硅氧化膜。
- 化合物、氧化膜蝕刻裝置APS系列
- 等離子成膜裝置Cetus
- 主要裝置
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- 氧化膜/氮化膜蝕刻裝置
- SiC蝕刻機
- 等離子切片機
- 熱處理裝置
- 等離子體CVD裝置
- 金屬膜濺射裝置 (PVD)
- 分子氣相成膜裝置 (MVD)
- 極簡裝置
支援多通道腔體的平臺
為了支持量產、提高生產效率，我們推出了可通過高速輸送實現高吞吐量的真空盒式平臺和大氣盒式平臺。
真空盒式磁帶最多可安裝3個腔室 (VPX系列) 和4個腔室 (CPX系列)，而大氣盒式磁帶最多可安裝2個腔室 (DPX系列) 。
- 硅深度挖掘裝置
CPXASE-Pegasus
- 硅深度挖掘裝置
- 硅氧化膜犧牲層蝕刻裝置
VPXSLE-Ox
- 硅氧化膜犧牲層蝕刻裝置
- 硅深度挖掘裝置
DPXASE-Pegasus
- 硅深度挖掘裝置